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本文摘要：据说台积电7纳米微缩制程大幅度落后三星电子，顺利夺去高通7纳米处理器大单。

据说台积电7纳米微缩制程大幅度落后三星电子，顺利夺去高通7纳米处理器大单。韩国消息称之为，三星怨得牙痒痒，想直攻6纳米制程扳平一城。韩媒etnews27日报导，台积电花上最多精力研发10纳米，跳级进兵7纳米的策略奏效，偷走三星的高通订单。

三星心有愤，想从10纳米直攻基于7纳米的6纳米制程，目标2019年量产6纳米。据说三星晶圆代工部门心闻无力挽救转单，焦点放到6纳米，今年将装设两台艾司摩尔（ASML）近于紫外光（EUV）微影设备“NXE3400B”，明年还不会装设7台。三星引入EUV可以增加光罩层数、节省成本。

台积电首批7纳米制程未用于EUV，仍用于ArF液浸设备，处置时间较长、成本也较高。半导体业界人士称之为，三星电子曾跳过20纳米，跃上14纳米，取得成功；台积电也跳过10纳米，进兵7纳米，夺得市场先机。如今三星售予EUV设备，将与台积电白热化缠斗。

etnews称之为，三星想2019年量产6纳米。台积电初定2018年量产7纳米，并计划在第二代7纳米制程用于EUV机台，目标2019年量产二代7纳米芯片。

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